1.什么是薄膜內(nèi)應(yīng)力，生長應(yīng)力，熱應(yīng)力？生長應(yīng)力，熱應(yīng)力產(chǎn)生的原因？
內(nèi)應(yīng)力：在無外力的作用下，存在于薄膜的任意斷面上，由斷面的一側(cè)作用于斷面的另一側(cè)的單位面積的力。
熱應(yīng)力：指在變溫情況下，由于受約束的薄膜的熱脹冷縮效應(yīng)而引起的薄膜內(nèi)應(yīng)力
生長應(yīng)力：是指由于薄膜結(jié)構(gòu)的非平衡性所導(dǎo)致的薄膜內(nèi)應(yīng)力，也稱本征應(yīng)力。
2.薄膜生長方式的三種模式：（1）島狀生長模式（2）層狀生長（3）島狀層狀生長
3.薄膜和襯底間的界面形態(tài)
（1）平界面，在這類界面上，物質(zhì)從一種類型突變?yōu)榱硪环N類型，界面兩側(cè)的原子間距為0.1-0.5nm。
（2）形成化合物的界面。在界面兩側(cè)原子間作用力較強(qiáng)時，界面之間將發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并生成化合物。
（3）合金的擴(kuò)散界面。在界面兩側(cè)元素間相互擴(kuò)散，溶解形成合金的情況下，界面成分將呈現(xiàn)出梯度變化(4)機(jī)械咬合面。在界面粗糙程度較大，界面元素并不發(fā)生明顯擴(kuò)散的情況下，界面兩側(cè)的物質(zhì)以其凹凸不平的表面相互咬合。
4.薄膜厚度的測試方法主要有哪些？
等厚干涉法（FET），等色干涉法（FECO）等角度干涉法（VAMFO）等角反射干涉法（CARIS）橢偏儀法，表面粗糙度儀法，稱重法，石英晶體振蕩器法。舉例：橢偏儀法（利用的是物質(zhì)界面對于不同偏振態(tài)光具有不一樣的反射，折射能力的特性，通過測量出薄膜對于不同偏振光分量的反射系數(shù)之比求出薄膜的厚度。）
更多薄膜常見問題我們將持續(xù)關(guān)注。